banner393

Samsung, akıllı telefonlarda terabyte sınırını aştı

- Şirket, sektördeki ilk 1 terabyte gömülü Evrensel Flash Depolama 2.1'i duyurdu - Yeni çözüm, bir sonraki nesil mobil uygulamalarda kullanılacak

Samsung, akıllı telefonlarda terabyte sınırını aştı

İSTANBUL (AA) - Samsung Electronics, sektördeki ilk 1 terabyte (TB) gömülü Evrensel Flash Depolama (eUFS) 2.1'i duyurdu.

Samsung'dan yapılan açıklamaya göre, yeni çözüm, bir sonraki nesil mobil uygulamalarda kullanılacak. Samsung, ilk UFS çözümünü (128 GB eUFS) sunduktan sadece 4 yıl sonra akıllı telefonlarda herkesin aşılmasını beklediği terabyte sınırını geride bıraktı.

Akıllı telefon meraklıları, yakında üst düzey dizüstü bilgisayarlara benzer bir depolama kapasitesine, telefonlarına ek bellek kartları almadan da kavuşabilecek.

1 TB eUFS, Samsung’un en gelişmiş 512-gigabit V-NAND flash belleklerinden 16 katmanı ve yeni geliştirdiği kendine özgü kontrolcüyü bir araya getirerek 512 GB'lık önceki sürüm ile aynı boyutlarda (11,5 mmx13,0 mm) 2 kat kapasite sunabiliyor.

Akıllı telefon kullanıcıları artık 10 dakikalık 260 adet 4K UHD (3840x2160) videoyu cihazlarına kaydedebilecek. Günümüzde üst düzey akıllı telefonlarda sıkça görülen 64 GB eUFS ile aynı boyutta 13 adet video saklanabiliyor.

1 TB eUFS ayrıca "olağanüstü" hıza sahip. Böylece kullanıcılar büyük boyutlu multimedya içerikleri çok daha kısa sürede aktarabilecek. Yeni eUFS, 1000 MB/sn’ye varan hızıyla standart bir 2,5 inç SATA SSD'den iki kata kadar daha yüksek sıralı okuma hızı sunuyor.

5 GB boyutunda Full HD videolar bir NVMe SSD'ye 5 saniye içinde aktarılabiliyor. Bu da standart bir microSD karta göre 10 kata kadar daha yüksek hız anlamına geliyor. Ayrıca, rastgele okuma hızı da 512 GB'lık sürüme göre yüzde 38'e varan oranlarda artırılarak 58 bin IOPS düzeyine ulaşabiliyor.

Rastgele yazma ise 50 bin IOPS'a varan yüksek performanslı bir microSD karttan (100 IOPS) 500 kata kadar hızlı hale geldi.

Rastgele hızlar sayesinde saniyede 960 kare yüksek hızlı kesintisiz çekim yapmak mümkün hale geliyor. Akıllı telefon kullanıcıları bu sayede bugünün ve yarının çoklu kamera özelliklerinden tam olarak faydalanabilecek.

Samsung, 2019'un ilk yarısında beşinci nesil 512 Gb V-NAND belleklerinin üretimini Kore’deki Pyeongtaek tesisinde de yapmaya başlayacak. Böylece, tüm dünyadaki mobil cihaz üreticilerinin 1 TB eUFS’e göstermesi beklenen yoğun talebin karşılanması planlanıyor.

Açıklamada görüşlerine yer verilen Samsung Electronics Bellek Satış ve Pazarlamadan Sorumlu Başkan Yardımcısı Cheol Choi, şunları kaydetti:

"1 TB kapasiteli eUFS'nin, yeni nesil mobil cihazlarda dizüstü bilgisayar benzeri bir deneyim sunmada kritik bir yol oynaması bekleniyor. Ayrıca, gelecek amiral gemisi akıllı telefon modellerinin zamanında piyasaya çıkmasını sağlamak ve global mobil cihaz pazarının büyümesini hızlandırmak için en güvenilir tedarik zincirini ve yeterli üretimi sunmaya kararlıyız."



YORUM EKLE
SIRADAKİ HABER